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“非易失性存储器”参数说明
| 存储器： | 2厘米 | 产量： | 1000 |
“非易失性存储器”详细介绍
F-RAM产品结合了ROM的非易性数据存储性能和RAM的优势，具有几乎无限次的读写次数、高速读写周期和低功耗特点。我们的F-RAM产品线具有多种接口和容量，包括工业标准的串行和并行接口；工业标准的封装类型；4Kb、16Kb、256Kb、1Mb、2Mb和4Mb存储容量。
所有Ramtron的F-RAM产品具备的3大特点，使其不同于其他非易失性存储技术：
快速写入
F-RAM执行写操作的速度和读操作的速度一样快。就在总线速度下写数据而言，F-RAM对写入的数据变成非易失性数据并没有任何延迟。与基于浮栅技术的非易失性存储器5毫秒的数据读写延时相比，F-RAM的写入速度只为几十纳秒，在汽车安全系统应用中必不可少。
高耐久性
F-RAM提供几乎无限次写入的耐久性，这就意味着它不存在像其他非易失性存储器件那样。对于采用浮栅技术的非易失性存储器而言，存在1E5时钟周期的硬故障和无法写入，不适合应用于高耐久性的应用。
低功耗
F-RAM操作无需（高压）充电激励，因此可以降低功耗。采用浮栅技术的非易失存储器在写操作过程中需要高电压支持，而F-RAM的写操作只需要本身制造工艺的的电压：5V，3V或通过提高工艺使电压更低。
所有Ramtron的F-RAM产品具备的3大特点，使其不同于其他非易失性存储技术：
快速写入
F-RAM执行写操作的速度和读操作的速度一样快。就在总线速度下写数据而言，F-RAM对写入的数据变成非易失性数据并没有任何延迟。与基于浮栅技术的非易失性存储器5毫秒的数据读写延时相比，F-RAM的写入速度只为几十纳秒，在汽车安全系统应用中必不可少。
高耐久性
F-RAM提供几乎无限次写入的耐久性，这就意味着它不存在像其他非易失性存储器件那样。对于采用浮栅技术的非易失性存储器而言，存在1E5时钟周期的硬故障和无法写入，不适合应用于高耐久性的应用。
低功耗
F-RAM操作无需（高压）充电激励，因此可以降低功耗。采用浮栅技术的非易失存储器在写操作过程中需要高电压支持，而F-RAM的写操作只需要本身制造工艺的的电压：5V，3V或通过提高工艺使电压更低。
“非易失性存储器”其他说明
| 型号 | 容量 | 最大工作电流 | 最大读写频率 | 封装 | 电压 | AEC-Q100认证 | 唯一S/N | |||
| FM24V10 | 1Mb | 1.0mA | 3.4MHz | 8-Pin SOIC | 2.0 - 3.6V | 64-bit | ||||
| FM24V05 | 512Kb | 1.0mA | 3.4MHz | 8-Pin SOIC | 2.0 - 3.6V | 64-bit | ||||
| FM24W256 | 256Kb | 400uA | 1MHz | EIAJ8, SOIC8 | 2.7-5.5V | |||||
| FM24V02 | 256Kb | 1.0mA | 3.4MHz | SOIC8 | 2.0-3.6V | Grade 3 (-40°C – +85°C) | 64-bit | |||
| FM24V01 | 128Kb | 1.0mA | 3.4MHz | 8-Pin SOIC | 2.0-3.6V | Grade 3 (-40°C – +85°C) | 64-bit | |||
| FM24C64C | 64Kb | 400uA | 1MHz | 8-Pin SOIC | 4.5-5.5V | |||||
| FM24C64B | 64Kb | 400uA | 1MHz | 8-Pin SOIC | 4.5-5.5V | |||||
| FM24CL64B | 64Kb | 300uA | 1MHz | SOIC8 或 DFN8 | 2.7-3.6V | |||||
| FM24CL64B-GA | 64Kb | 340uA | 1MHz | SOIC8 | 3.0-3.6V | Grade 1 | ||||
| FM24C16C | 16Kb | 400uA | 1MHz | 8-Pin SOIC | 4.5-5.5V | |||||
| FM24CL16B | 16Kb | 300uA | 1MHz | SOIC8 或 DFN8 | 2.7-3.6V | |||||
| FM24C16B | 16Kb | 400uA | 1MHz | 8-Pin SOIC | 4.5-5.5V | |||||
| FM24C04C | 4Kb | 400uA | 1MHz | 8-Pin SOIC | 4.5-5.5V | |||||
| FM24CL04B | 4Kb | 300uA | 1MHz | 8-Pin SOIC | 2.7-3.6V | |||||
| FM24C04B | 4Kb | 400uA | 1MHz | 8-Pin SOIC | 4.5-5.5V | |||||
| FM24C512 (NRND) | 512Kb | 1.5mA | 1MHz | EIAJ SOIC8 | 5V | |||||
| FM24L256 (NRND) | 256Kb | 600uA | 1MHz | SOIC8 | 2.7-3.6V | |||||
| FM24C256 (NRND) | 256Kb | 1.2mA | 1MHz | EIAJ SOIC8 | 5V | |||||
| FM24CL64 (NRND) | 64Kb | 400uA | 1MHz | SOIC8 DFN8 | 2.7-3.6V | Grade 3 (-40~85C) | ||||
| FM24C64 (NRND) | 64Kb | 1.2mA | 1MHz | SOIC8 | 4.5-5.5V | Grade 3 (-40~85C) | ||||
| FM24CL32 (NRND) | 32Kb | 600uA | 1MHz | SOIC8 | 2.7-3.6V | |||||
| FM24CL16 (NRND) | 16Kb | 400uA | 1MHz | SOIC8 DFN8 | 2.7-3.6V | Grade 3 (-40~85C) | ||||
| FM24C16A (NRND) | 16Kb | 1.0mA | 1MHz | SOIC8 | 4.5-5.5V | |||||
| FM24CL04 (NRND) | 4Kb | 300uA | 1MHz | SOIC8 | 2.7-3.6V | |||||
| FM24C04A (NRND) | 4Kb | 1.0mA | 1MHz | SOIC8 | 4.5-5.5V |
